【商品规格】：TK180

　　【商品简介】：

　　扩散炉专门设计用于半导体材料扩散、氧化工艺;同时也用于太阳能电池行业的氮化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、多晶硅等多种渡膜(LPCVD)工艺。 窑炉采用FEC陶瓷纤维管保温、KANTHEL炉丝，优质气炼石英管作为炉膛, 可预抽真空并可通入参与反应沉积的气体。

　　温度控制系统选用日本进口单回路智能温度控制仪控制、温区设计隔板结构，恒温区温度均匀。进口或国产气氛控制系统，质量流量计控制。设备具有温度均匀、控制稳定、温区间温度扰动小、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想企业的研制、生产设备。

　　【备　　注】：

　　主要技术参数见下表：

　　项目

　　参数

　　炉膛尺寸

　　ф180(外径)×2200 mm

　　加热区长

　　700 mm

　　温区点数

　　3 点/单管

　　工作温度

　　RT～ 1200℃ (最高炉温 1250℃ )

　　控制精度

　　±1 ℃

　　报警保护

　　超温、欠温、断偶、等报警保护

　　升温功率

　　12 KW/单管

　　重量

　　550 Kg

　　注：用户有何特殊要求可协商。