注：①表A2的说明见A4．3。

1)不连接的管脚是不被试验的。

2)对各类电源脚和地，重复管脚组合1的试验(如Vpsl是V_DD'、V_cc'、V_ss',、V_BB'、GND、+V_s'、V_REF'等)。

A4．2．4  试验样品按适用的1和7组进行电性能测试(室温下的直流参数和功能参数测试)o；

A4．2．5  如果有一个以上的试验样品失效，用三个新的试验样品毒在比所·用电压等级更低的电压下重复A4．2．3和A4．2．4。

A4．2．6  如果三个试验样品没有一个失效，记下A4．2．2所确定的失效电压值。

A4．3  试验的管脚组合

A4．3．1：各个管脚依次接到A端，相应器件的地脚接到B端·。除被试的管脚和地脚外，其它所有管脚悬空。相应各个不同类的所有电源脚(如Vss1或Vss2或Vss3或V cc1或Vcc2联在一起接到端。除被试的管脚和电源脚外，其他管脚都悬空。 

A4．3．2  各个管脚依次接到A端

A4．3．3  各个输入和输出管脚依次接到A端，相应所有其他输入和输出管脚联在一起接到B

端。除被试的输入和输出管脚以及所有其他输入和输出管脚外，其他所有管脚都悬空。

A5  说明  

  下列内容应在订货单或合同中规定，或在其他场合明确规定。   

A5．1  试验后电性能测试结果

A5．2  采用的特殊条件或代用的管脚组合。

A5，3  试样数量(试样不是3个时)。

GJB 1649—93

附  录  B

ESDS元器件

(参考件)

B1  范围

本附录确定了适用本标准ESD控制大纲要求的l、2和3级元器件。

B2  元2S件适用性要求

B2．1  适用于本标准的ESDS元器件列于表B，1，这些元器件根据元器件类型和敏感度范围来分级。

B3  详细要求

B3．1  1、2和3级元器件

表Bl说明了1、2和3级元器件类型(见5．2)。这种分级的依据是给定元器件类型中有代

表性元器件的试验数据和报告。元器件设计、加工技术或保护电路的差异可能导致元器件不在表B1规定的范围内。

B3．2元器件类型分级

必要时，附录A(补充件)的试验数据可取代表Bl的元器件类型分级。

表Bl  按元器件类型列出的ESDS元器件

1级：敏感电压范围0～1999V

                            元 器 件 类 型

微波器件(肖特基势垒二极管、点接触二极管和其他工作频率大于1GHz的检测二极管

离散型MOS场效应晶体管

声表面波(SAW)器件

结型场效应晶体管(JEETs)

电荷耦合器件(CCDs)

精密稳压二极管(线或加载电压稳定(0．5％))

运算放大器(OP AMPs)

薄膜电阻器

集成电路

使用1级元器件的混合电路

超高速集成电路(VHSIC)

环境温度100℃时，Io<0．175A的晶体闸流管(SCRs)

    2级：敏感电压范围2000-3999V

元 器 件 类 型

由附录A(补充件)试验数据确定为2级的元器件和微电路：

离散型MOS场效应晶体管

结型场效应晶体管(JEETs)

运算放大器(OP AMPs)

集成电路(1Cs)

超高速集成电路(VHSIC)

GJB 1649-93

续表B1

精密电阻网络(R2)

使用2级元器件的混合电路

低功率双极型晶体管，P_tot≤100mW，Ic<100mA

3级：敏感电压范围4000～15999V

    元器件类型、

由附录A(补充件)试验数据确定为3级的元器件和微电路：

离散型MOS场效应晶体管

运算放大器(OPAMPs)

集成电路(1Cs)

超高速集成电路(VHSIC)

所有不包括在l级或2级中的其他微电路

P_tot<lW或Io<lA的小信号二极管

    普通要求的硅整流器

Io >0．175A的晶体闸流管(SCRs)，

350mW>P_tot>100mW且400mA>I_C>100mA的低功率双极型晶体管

光电器件(发光二极管、光敏器件、光耦合器)    、

片状电阻器

使用3级元器件的混合电路  ，

压电晶体

C1  颜色

静电敏感符号可以用与底色有明显对比的任何颜色单色标注 。  

建议在黄色底上采用黑色的符号；尽量避免采用红色。 

C2  比例尺寸

如果标记位置允许，应按图C1a所示的基本符号进行标注。

需要时，也可以采用图C1b所示的按比例缩小的简化符号。