文章摘要：将它直接封装在PCB上,通常采用的封装方法有两种：一种是COB法，另一种是倒装焊(C4)法。适用COB法的裸芯片(Bare Chip)又称为COB芯片，后者则称为Flip Chip，简称F·C，两者的结构有所不同

关健字: COB芯片 FlipChip 裸芯片
由于LSI、VLSI迅速发展，芯片的工艺特征尺寸达到深亚微米级(O．15μm)，芯片尺寸达到20mm×20 mm以上，其I/O数已超过1000个，但是，芯片封装却成了一大难题，人们力图将它直接封装在PCB上。通常采用的封装方法有两种：一种是COB法，另一种是倒装焊(C4)法。适用COB法的裸芯片(Bare Chip)又称为COB芯片，后者则称为Flip Chip，简称F·C，两者的结构有所不同，现介绍如下。

COB芯片

    焊区与芯片体在同一平面上，焊区周边均匀分布，焊区最小面积为90μm×90μm，最小间距为100μm。由于COB芯片焊区是周边分布，所以I／O增长数受到一定限制，特别是它在焊接时采用线焊(帮定机)，实现焊区与PCB焊盘相连接，因此，PCB焊盘应有相应的焊盘数，并也是周边排列，才能与之相适应。所以，PCB制造工艺难度也相对增大，此外，COB的散热也有一定困难。

    通常COB只适用于低功耗(0．5～1W)的IC芯片。目前，COB芯片均可以定做，一般价格仅为QFP的一半。

F·C

    F·C芯片是20世纪60年代美国IBM首先研制成功的。它与COB的区别在于焊点呈面阵列式排在芯片上，并且焊区做成凸点结构，凸点外层即为Sn／Pb焊料，故焊接时将F·C反置于PCB上，并可以采用SMT。方法实现焊接。这种方法的焊接有下列名称：

    ·国内称倒装焊，特指F·C倒放在PCB之上；

    ·可控塌陷芯片连接(Controlled Collapsed Chip Connection)，简称C4。

    通常，F·C焊点间距为0．4mm或0．5mm，凸点呈面阵排列，最初凸点数为102，目前已做到402。

    F·C的凸点制作是关键，通常做法是：先在芯片铝电极上覆盖防势垒金属层(保护层)，考虑到焊料(Sn-Pb)与铝产生的浸蚀反应和低黏结强度，按各个公司的不同做法，分别在铝电极上镀覆不同材料的保护层，然后再将与焊料润湿性好的金属Cu或Ni等依次蒸镀于电极上，最后涂敷Sn-Pb焊料做成凸点状电极。