五：高校SMT实验室所需要的设备！

附录1：
从1955年至今的封装形式介绍！！！
微电子封装的基本类型约每15年变更一次，1955年起主要是TO型圆型金属封装，封装对象是晶体管和小规模集成电路，封装引线数为3--12线。
     1965年起主要是双列直插封装（DIP），先是陶瓷的DIP后是塑料的DIP，引线脚数为6--64。
     1980年出现了表面安装封装（SMT），主要封装形式是SOP、SOT、SOJ、PLCC、PQFP等。引线数为3--300。
     1995年出现焊球阵列（BGA）和芯片尺寸封装（CSP），BGA的外引线为焊料球，排列在芯片的底部。CSP硅芯片面积和封装所占印制版面积之比大于80，外引线可以是引线框架的引线、焊料球或者是焊凸点。
     目前已可以将焊凸点直接做在硅圆片的各个芯片上，然后在切割成独立的可以直接倒装焊的集成电路芯片。

附录二：
高密度封装
摘要：本文介绍了微电路的几种高密度封装，着重介绍当今最盛行的多芯片封装(MCP)、新的片内系统(SIP)及三维封装等，并指出这是一种实现片上系统的变通方法。
关键词：封装；高密度；多芯片；三维

推动微电子技术不断创新飞速发展的原动力无疑是电子装置的小、轻、便携、可靠、便宜的永恒要求。历史与现实均证明：实现这些要求的技术手段，不容置疑地是以半导体集成包括设计、制造、封装、测试、装配等为核心的新技术、新材料、新工艺的不断发展，甚至是革命性的突破。  
半导体集成技术已成为微电子的基础，是其最活跃最有生命力而令人兴奋不已的一个分支；与之相适应的，微电子封装亦成为一个日新月异、欣欣向荣的工业领域。
    微电子封装走过一段不寻常的历史。可分为四个阶段：二十世纪七十年代的双列直插(DIP)、引线键合、在印制板上通孑L连接；八十年代的表面贴装(SMT)；九十年代的焊球阵列(BGA)，最近的壳内系统或系统封装(SIP)。从观念上也发生了革命性的变化。如今，已从过去的单纯的封装壳体(PACKAGE)概念，演变成与被封装体不可分割的一部分，即成为半导体器件性能的组成部分--"封装"已渗透到被封装体内(称之谓PACKAGING)。
    试想，大约30多年前，一个64kb的磁芯存贮器约有两个冰箱大；而今256Mb的芯片只有拇指甲大小。早期一个25mm2的硅片上只有一个晶体管；今天一个17mm2的硅片上含有50M以上的晶体管电路。当初，12．7mm的陶瓷模块有16只引脚，只能封装一个上述的单晶体管及几个厚膜电阻器；现在多层陶瓷模块大致为5×645．16mm2以上，可包含3千万-五千万个晶体管芯片且有3000只以上的引脚。最早装配板为线绕的双板对，今天已超过30层可有几个板对。互连技术从最初的16引脚25mm间距的模块到今天的32mmBG／L模缺有1．27mm引脚间距及42mmCGAR有1．00mm间距，而CSP及微型BGA的引脚间距约是0．5mm。
    不难看出，这是一幅充满了进步、变革及革命的历史画卷。
    高密度封装正是生长在封装历史巅峰的一朵奇葩。